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| 部品番号 | DMG6602SVT-7 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.4A, 2.8A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 60 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 13nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | 840mW |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TSOT-23-6 |
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
在庫あり: 130000
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
在庫あり: 159000
