ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ DMN65D8LDW-7

Diodes Incorporated DMN65D8LDW-7

部品番号
DMN65D8LDW-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.03599/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 DMN65D8LDW-7
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 180mA
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 0.87nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 22pF @ 25V
電力 - 最大 300mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SOT-363
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