部品番号 | DMT6005LCT |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 47.1nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2962pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.3W (Ta), 104W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
在庫あり: 2500
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
在庫あり: 5000
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
在庫あり: 2000