ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ BSO615N

Infineon Technologies BSO615N

部品番号
BSO615N
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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製品パラメータ
部品番号 BSO615N
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.6A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 20µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 20nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 380pF @ 25V
電力 - 最大 2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ PG-DSO-8
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