ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IPA057N08N3GXKSA1

Infineon Technologies IPA057N08N3GXKSA1

部品番号
IPA057N08N3GXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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    0.94500/pcs
  • 10 pcs

    0.89650/pcs
  • 100 pcs

    0.72025/pcs
  • 500 pcs

    0.56018/pcs
  • 1,000 pcs

    0.46414/pcs
合計:0.94500/pcs Unit Price:
0.94500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IPA057N08N3GXKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 90µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 69nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4750pF @ 40V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 39W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5.7 mOhm @ 60A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-FP
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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