ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IPA80R1K4CEXKSA2

Infineon Technologies IPA80R1K4CEXKSA2

部品番号
IPA80R1K4CEXKSA2
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    0.66500/pcs
  • 10 pcs

    0.65750/pcs
  • 100 pcs

    0.51975/pcs
  • 500 pcs

    0.40306/pcs
  • 1,000 pcs

    0.31821/pcs
合計:0.66500/pcs Unit Price:
0.66500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IPA80R1K4CEXKSA2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 800V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.9V @ 240µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 23nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 570pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 31W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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