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| 部品番号 | IRF6619 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Ta), 150A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.45V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 57nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5040pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MX |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
在庫あり: 22400
