ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SPP18P06P H

Infineon Technologies SPP18P06P H

部品番号
SPP18P06P H
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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  • 10 pcs

    0.63300/pcs
  • 100 pcs

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  • 500 pcs

    0.38801/pcs
  • 1,000 pcs

    0.30633/pcs
合計:0.67500/pcs Unit Price:
0.67500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 SPP18P06P H
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18.7A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 28nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 860pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 81.1W (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 130 mOhm @ 13.2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
関連製品
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メーカー: Infineon Technologies

説明: MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

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メーカー: Infineon Technologies

説明: MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

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メーカー: Infineon Technologies

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説明: MOSFET N-CH 75V 100A TO-220

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SPP100N08S2L-07

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