部品番号 | SPP18P06P H |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18.7A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 28nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 860pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 81.1W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO-220-3 |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |