部品番号 | NTGD4169FT1G |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.6A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 295pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±12V |
FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力(最大) | 900mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
動作温度 | -25°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 |