ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル RJK60S7DPK-M0#T0

Renesas Electronics America RJK60S7DPK-M0#T0

部品番号
RJK60S7DPK-M0#T0
メーカー
Renesas Electronics America
説明
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    5.77500/pcs
  • 10 pcs

    5.25000/pcs
  • 25 pcs

    4.85620/pcs
合計:5.77500/pcs Unit Price:
5.77500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 RJK60S7DPK-M0#T0
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 30A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 39nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2300pF @ 25V
Vgs(最大) +30V, -20V
FET機能 Super Junction
消費電力(最大) 227.2W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3PSG
パッケージ/ケース TO-3PSG
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メーカー: Renesas Electronics America

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