ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル TPH3206LSB

Transphorm TPH3206LSB

部品番号
TPH3206LSB
メーカー
Transphorm
説明
MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Transphorm

Transphorm

transphorm is a global semiconductor company that develops gallium nitride (gan) fets for high-voltage power conversion applications.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    6.05000/pcs
  • 10 pcs

    5.44500/pcs
  • 100 pcs

    4.47700/pcs
  • 500 pcs

    3.75100/pcs
合計:6.05000/pcs Unit Price:
6.05000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 TPH3206LSB
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 8V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.6V @ 500µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 6.2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 720pF @ 480V
Vgs(最大) ±18V
FET機能 -
消費電力(最大) 81W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 180 mOhm @ 10A, 8V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (8x8)
パッケージ/ケース 3-PowerDFN
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