제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF MX0912B251Y,114

Ampleon USA Inc. MX0912B251Y,114

부품 번호
MX0912B251Y,114
제조사
Ampleon USA Inc.
기술
TRANSISTOR POWER NPN SOT439A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Ampleon

Ampleon

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제품 매개 변수
부품 번호 MX0912B251Y,114
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 20V
빈도 - 전환 1.215GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 7.4dB
전력 - 최대 690W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce -
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 15A
작동 온도 200°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-439A
공급 업체 장치 패키지 CDFM2
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