제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF BFP640H6327XTSA1

Infineon Technologies BFP640H6327XTSA1

부품 번호
BFP640H6327XTSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
TRANS RF NPN 4V 50MA SOT343
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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재고 있음 7500 pcs
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합계:0.08347/pcs Unit Price:
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목표 주가:
수량:
제품 매개 변수
부품 번호 BFP640H6327XTSA1
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 4.5V
빈도 - 전환 40GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득 12.5dB
전력 - 최대 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 110 @ 30mA, 3V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 50mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343
공급 업체 장치 패키지 PG-SOT343-4
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