제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - IGBT - 모듈 BSM100GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies BSM100GB170DN2HOSA1

부품 번호
BSM100GB170DN2HOSA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MODULE IGBT 1700V
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - IGBT - 모듈
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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제품 매개 변수
부품 번호 BSM100GB170DN2HOSA1
부품 상태 Obsolete
IGBT 형 -
구성 Half Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1700V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 145A
전력 - 최대 1000W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 16nF @ 25V
입력 Standard
NTC 서미스터 No
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
공급 업체 장치 패키지 Module
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제조사: Infineon Technologies

기술: MODULE IGBT 1700V

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