제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies IPG20N06S2L35AATMA1

부품 번호
IPG20N06S2L35AATMA1
제조사
Infineon Technologies
기술
MOSFET 2N-CH 8TDSON
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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제품 매개 변수
부품 번호 IPG20N06S2L35AATMA1
부품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 55V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 27µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 790pF @ 25V
전력 - 최대 65W
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
공급 업체 장치 패키지 PG-TDSON-8-10
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