제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 JAN2N3749

Microsemi Corporation JAN2N3749

부품 번호
JAN2N3749
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRANS NPN 80V 5A TO111
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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제품 매개 변수
부품 번호 JAN2N3749
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 5A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 80V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 20µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 1A, 2V
전력 - 최대 2W
빈도 - 전환 -
작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-111-4, Stud
공급 업체 장치 패키지 TO-111
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