제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 JAN2N6353

Microsemi Corporation JAN2N6353

부품 번호
JAN2N6353
제조사
Microsemi Corporation
기술
TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

재고 있음 3629 pcs
  • 참고 가격

    (미국 달러화)
  • 1 pcs

    -
합계:0 Unit Price:
0
목표 주가:
수량:
제품 매개 변수
부품 번호 JAN2N6353
부품 상태 Discontinued at Digi-Key
트랜지스터 유형 NPN - Darlington
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 5A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 150V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 2.5V @ 10mA, 5A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 5V
전력 - 최대 2W
빈도 - 전환 -
작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-213AA, TO-66-3
공급 업체 장치 패키지 TO-66 (TO-213AA)
관련 상품
JAN1N1184

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB

재고: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1186

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

재고: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1186R

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

재고: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1188

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

재고: 1

RFQ 40.88500/pcs
JAN1N1188R

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

재고: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1190

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

재고: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1190R

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

재고: 0

RFQ 34.68850/pcs
JAN1N1202A

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

재고: 0

RFQ -
JAN1N1202AR

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

재고: 0

RFQ -
JAN1N1204A

제조사: Microsemi Corporation

기술: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA

재고: 0

RFQ -