제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF 15GN01MA-TL-E

ON Semiconductor 15GN01MA-TL-E

부품 번호
15GN01MA-TL-E
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS NPN BIPO 50MA 8V MCP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 15GN01MA-TL-E
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 8V
빈도 - 전환 1.5GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 -
전력 - 최대 400mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 200 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 50mA
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 3-SMD, Gull Wing
공급 업체 장치 패키지 3-MCP
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