제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 2N6387G

ON Semiconductor 2N6387G

부품 번호
2N6387G
제조사
ON Semiconductor
기술
TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 2N6387G
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN - Darlington
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 10A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 60V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 3V
전력 - 최대 2W
빈도 - 전환 -
작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-220-3
공급 업체 장치 패키지 TO-220AB
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