제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - JFET 2SK3666-2-TB-E

ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E

부품 번호
2SK3666-2-TB-E
제조사
ON Semiconductor
기술
JFET NCH 30V 200MW 3CP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - JFET
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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제품 매개 변수
부품 번호 2SK3666-2-TB-E
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
전압 - 고장 (V (BR) GSS) -
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 600µA @ 10V
전류 드레인 (Id) - 최대 10mA
전압 - 컷오프 (VGS off) @ ID 180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4pF @ 10V
저항 - RDS (켜짐) 200 Ohm
전력 - 최대 200mW
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 3-CP
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