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| 부품 번호 | SSM6J206FE(TE85L,F |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | P-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 335pF @ 10V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 500mW (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 1A, 4V |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | ES6 (1.6x1.6) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
재고: 4000
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
재고: 0
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
재고: 4000
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
재고: 12000
