부품 번호 | VS-GT100TP120N |
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부품 상태 | Obsolete |
IGBT 형 | Trench |
구성 | Half Bridge |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) | 180A |
전력 - 최대 | 652W |
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
전류 - 콜렉터 차단 (최대) | 5mA |
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V |
입력 | Standard |
NTC 서미스터 | No |
작동 온도 | 175°C (TJ) |
실장 형 | Chassis Mount |
패키지 / 케이스 | INT-A-PAK (3 + 4) |
공급 업체 장치 패키지 | INT-A-PAK |
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 258A 893W SOT-227
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 134A 463W SOT-227
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 600V 200A 652W SOT-227
재고: 0
제조사: Vishay Semiconductor Diodes Division
기술: IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227
재고: 156