Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMN6013LFGQ-13

Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-13

Número da peça
DMN6013LFGQ-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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0.18760/pcs
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Parâmetro do produto
Número da peça DMN6013LFGQ-13
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55.4nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2577pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PowerDI3333-8
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
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