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| Número da peça | 1N8024-GA |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 1200V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 750mA |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.74V @ 750mA |
| Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 0ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Capacitance @ Vr, F | 66pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-257-3 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-257 |
| Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 250°C |
