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| Número da peça | GA50JT12-247 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7209pF @ 800V |
| Vgs (Max) | - |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 583W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-247AB |
| Pacote / Caso | TO-247-3 |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: TRANS SJT 600V 100A
Em estoque: 0
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: TRANS SJT 1.2KV 50A
Em estoque: 77
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Em estoque: 0
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: TRANS SJT 1.7KV 100A
Em estoque: 0
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: SIC CO-PACK SJT/RECT 50A 1.2KV
Em estoque: 4
