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| Número da peça | GB05SLT12-220 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 1200V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 5A |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.8V @ 2A |
| Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 0ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 50µA @ 1200V |
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-220-2 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220AC |
| Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
Em estoque: 82
Fabricante: GeneSiC Semiconductor
Descrição: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Em estoque: 0
