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| Número da peça | IDC04S60CEX1SA1 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 600V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 4A (DC) |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.9V @ 4A |
| Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 0ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 50µA @ 600V |
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | Die |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
| Temperatura de operação - junção | -55°C ~ 175°C |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER
Em estoque: 0
