Infineon Technologies IPW60R041C6

Número da peça: IPW60R041C6
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1 pcs
6.45000/pcs
10 pcs
6.14300/pcs
100 pcs
5.22150/pcs
500 pcs
4.45364/pcs

Total:6.45000/pcs

Unit Price:

6.45000/pcs

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Parâmetro do produto

Número da peça	IPW60R041C6
Status da Parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	77.5A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 2.96mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	290nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6530pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Feature	-
Dissipação de energia (máx.)	481W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 44.4A, 10V
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TO247-3
Pacote / Caso	TO-247-3