provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Número da peça | JAN1N5619 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 600V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 1A |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.6V @ 3A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 250ns |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 500nA @ 800V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | A, Axial |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
| Temperatura de operação - junção | -65°C ~ 175°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
