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| Número da peça | JAN2N5581 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-46 (TO-206AB) |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
