provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Número da peça | JANTX2N3055 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo de transistor | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15A |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 70V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 3.3A, 10A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Power - Max | 6W |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-204AA, TO-3 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-3 (TO-204AA) |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4
