renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.
| Número da peça | N0602N-S19-AY |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7730pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 50A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220-3 |
| Pacote / Caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Fabricante: Renesas Electronics America
Descrição: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
Em estoque: 0
