Número da peça | RSS1W1K8JTB |
---|---|
Status da Parte | Active |
Resistência (Ohms) | 1.8k |
Tolerância | ±5% |
Poder (Watts) | 1W |
Composição | Metal Oxide Film |
Características | Flame Proof, High Voltage, Pulse Withstanding, Safety |
Coeficiente de temperatura | ±300ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / Caso | Axial |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Axial |
Tamanho / Dimensão | 0.335" Dia x 1.614" L (8.50mm x 41.00mm) |
Altura - Assentada (Máx.) | - |
Número de terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
Em estoque: 0