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| Número da peça | TPS1120DG4 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 15V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.17A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 840mW |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SOIC |
Fabricante: Texas Instruments
Descrição: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Texas Instruments
Descrição: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP
Em estoque: 766
Fabricante: Texas Instruments
Descrição: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Em estoque: 2775
Fabricante: Texas Instruments
Descrição: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Em estoque: 10000
Fabricante: Texas Instruments
Descrição: MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP
Em estoque: 0
