Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF 2SC5085-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5085-Y(TE85L,F)

Número da peça
2SC5085-Y(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANSISTOR NPN MM USM
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça 2SC5085-Y(TE85L,F)
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 12V
Frequência - Transição 7GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Ganho 11dB ~ 16.5dB
Power - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Temperatura de operação 125°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-70, SOT-323
Pacote de dispositivos de fornecedores USM
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