Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF MT3S16U(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U(TE85L,F)

Número da peça
MT3S16U(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça MT3S16U(TE85L,F)
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 5V
Frequência - Transição 4GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 2.4dB @ 1GHz
Ganho 4.5dBi
Power - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
Temperatura de operação 125°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-70, SOT-323
Pacote de dispositivos de fornecedores USM
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

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