Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE,LF(CB

Número da peça: RN2910FE,LF(CB
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto

Número da peça	RN2910FE,LF(CB
Status da Parte	Active
Tipo de transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequência - Transição	200MHz
Power - Max	100mW
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos de fornecedores	ES6