Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos RN4905T5LFT

Toshiba Semiconductor and Storage RN4905T5LFT

Número da peça
RN4905T5LFT
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parâmetro do produto
Número da peça RN4905T5LFT
Status da Parte Obsolete
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequência - Transição 200MHz
Power - Max 200mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de dispositivos de fornecedores US6
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