Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos RN4907FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE,LF(CB

Número da peça
RN4907FE,LF(CB
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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    (Em dólares americanos)
  • 1 pcs

    0.02013/pcs
  • 4,000 pcs

    0.02013/pcs
  • 8,000 pcs

    0.01750/pcs
  • 12,000 pcs

    0.01488/pcs
  • 28,000 pcs

    0.01401/pcs
  • 100,000 pcs

    0.01167/pcs
Total:0.02013/pcs Unit Price:
0.02013/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça RN4907FE,LF(CB
Status da Parte Active
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição 250MHz, 200MHz
Power - Max 100mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos de fornecedores ES6
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