Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays SI5509DC-T1-E3

Vishay Siliconix SI5509DC-T1-E3

Número da peça
SI5509DC-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Descrição
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Parâmetro do produto
Número da peça SI5509DC-T1-E3
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V
Power - Max 4.5W
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 8-SMD, Flat Lead
Pacote de dispositivos de fornecedores 1206-8 ChipFET™
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