Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - HF NE851M03-A

CEL NE851M03-A

Artikelnummer
NE851M03-A
Hersteller
CEL
Beschreibung
TRANSISTOR NPN 2GHZ SOT-363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

cel is a stable provider of rf & optoelectronic components and rf modules.

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Produktparameter
Artikelnummer NE851M03-A
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 5.5V
Frequenz - Übergang 4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinnen -
Leistung max 200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 1V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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