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| Artikelnummer | BFY90 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 1.4GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5.5dB @ 800MHz |
| Gewinnen | 23dB |
| Leistung max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 25mA, 1V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 25mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-72 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143
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