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| Artikelnummer | CEDM8004VL TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 450mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.88nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 55pF @ 25V |
| Vgs (Max) | 8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 100mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-883VL |
| Paket / Fall | SC-101, SOT-883 |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883
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Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883
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