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| Artikelnummer | CXDM3069N TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 15V |
| Vgs (Max) | 12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-89 |
| Paket / Fall | TO-243AA |
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Auf Lager: 0
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Auf Lager: 37000
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
Auf Lager: 2000
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
Auf Lager: 3000
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Auf Lager: 13000
