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| Artikelnummer | C3M0120090J-TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-7 |
| Paket / Fall | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Auf Lager: 1726
Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 22A
Auf Lager: 417
Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 22A
Auf Lager: 0
Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: MOSFET N-CH SIC 1KV 22A D2PAK-7
Auf Lager: 188
Hersteller: Cree/Wolfspeed
Beschreibung: 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Auf Lager: 462
