Artikelnummer | DMC6040SSD-13 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N and P-Channel |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.1A, 3.1A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.8nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1130pF @ 15V |
Leistung max | 1.24W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
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