Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMN3007LSS-13

Diodes Incorporated DMN3007LSS-13

Artikelnummer
DMN3007LSS-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DMN3007LSS-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 64.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2714pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.5W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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