Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln DMN61D9UW-13

Diodes Incorporated DMN61D9UW-13

Artikelnummer
DMN61D9UW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Produktparameter
Artikelnummer DMN61D9UW-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 340mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28.5pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 320mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 50mA, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Fall SC-70, SOT-323
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