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| Artikelnummer | DMT6005LCT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2962pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.3W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Auf Lager: 2500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Auf Lager: 50
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
Auf Lager: 7250
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Auf Lager: 5000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
Auf Lager: 0
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
Auf Lager: 2000
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
Auf Lager: 0
