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| Artikelnummer | DMTH4004SCTBQ-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68.6nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4305pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 4.7W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB (D²PAK) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO252
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO252
Auf Lager: 2500
Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 40V 26A POWERDI
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO252
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060-8
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
Auf Lager: 4450
